制造硅绝缘体晶圆的单晶圆植入机

摘要

本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。

主权项

一种离子植入机，包括：离子束源，用于将由氧与氮所构成的族群中选出的离子产生为具有一定剂量范围的离子束，所述离子束的剂量范围由氧大约1E17至4E17cm-2、氧大约1至3E15cm-2以及氮大约1E17至2E18cm-2所构成的族群中选出；分析器磁体，用于自所述离子束移除不想要的物质；以及具有背面气体热耦合的静电夹盘，所述静电夹盘用于固持单个工件而通过具有所述剂量范围的所述离子束来进行硅绝缘体的植入，所述静电夹盘用于冷却所述工件至大约300℃至600℃的温度范围。