具有半导体薄膜的组合半导体装置

摘要

一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。

主权项

一种制造组合半导体装置的方法，所述方法包括如下步骤：准备具有实质上是平的上表面的衬底；准备由使用不同于所述衬底的另一个衬底的工艺而形成的第一半导体薄膜；将所述第一半导体薄膜结合到所述衬底的所述上表面上的预先确定的区域上；准备由使用不同于所述衬底和所述第一半导体薄膜的又另一个衬底的工艺而形成的第二半导体薄膜；将所述第二半导体薄膜结合到所述衬底的所述上表面上的另一个预先确定的区域上；其中，所述第一和第二半导体薄膜中的每个具有不大于10微米的厚度；作为所述第一和第二半导体薄膜中的一个的主要材料有非晶硅、单晶硅、多晶硅或化合物半导体，并且所述第一和第二半导体薄膜中的一个包括至少一个半导体器件，以及作为所述第一和第二半导体薄膜中的另一个的主要材料有非晶硅、单晶硅、多晶硅或化合物半导体，并且所述第一和第二半导体薄膜中的另一个包括集成电路和第一端子；在所述第一和第二半导体薄膜的所述结合之后，通过光刻法形成薄膜金属层，通过所述衬底的所述上表面和被结合到所述衬底上的所述第一和第二半导体薄膜中的每个，所述金属层电连接所述第一半导体薄膜的所述半导体元件和所述第二半导体薄膜的所述第一端子。