| 发明名称 | 具有凹涡结构导线架的覆晶半导体组件封装 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有凹涡结构导线架的覆晶半导体组件封装，该组件封装包括：具有若干源极凹涡和一个栅极凹涡的导线架；一个具有分别相对应于导线架源极凹涡和栅极凹涡的若干源极接触窗区域和栅极接触窗区域的半导体晶粒，该半导体晶粒覆晶于导线架上，因此，固化的导电环氧层为若干源极接触窗区域与源极凹涡和若干栅极接触窗区域与栅极凹涡之间提供了电连接和机械连接。本发明降低了半导体覆晶封装的成本，有效地降低在具有凹涡的导线架与印刷电路板之间的热膨胀错位。此外，由于提供了较大的连接面积给主机板级封装，因此，可改善组件的可靠度、热性能与电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101800209A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010121867.4 | 申请日期 | 2006.06.09 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 孙明;龚德梅 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 姜玉芳;徐雯琼 |
| 主权项 | 一种覆晶半导体组件封装，包括：具有若干源极凹涡和一个栅极凹涡的导线架；一个具有分别相对应于导线架源极凹涡和栅极凹涡的若干源极接触窗区域和栅极接触窗区域的半导体晶粒，该半导体晶粒覆晶于导线架上，因此，固化的导电环氧层为若干源极接触窗区域与源极凹涡和若干栅极接触窗区域与栅极凹涡之间提供了电连接和机械连接。 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 | ||