双镶嵌结构形成方法

摘要

一种双镶嵌结构形成方法，通过对形成第一镶嵌图形后的半导体基底执行高密度等离子体氧化操作，可减少由于图形化部分刻蚀停止层而产生的碱性成分的含量，继而，可减少所述碱性成分扩散至后续第二抗反射层表层的含量，进而，可减少抗蚀剂中毒现象的发生；或者，通过对已形成第二抗反射层的半导体基底执行氧化操作，可减少由于图形化部分刻蚀停止层而产生的碱性成分扩散至后续第二抗反射层表层的含量，进而，可减少抗蚀剂中毒现象的发生。

主权项

一种双镶嵌结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有顺序形成的刻蚀停止层和介质层；在所述介质层上顺序形成第一抗反射层和具有第一图形的抗蚀剂层；以所述具有第一图形的抗蚀剂层为掩膜，顺序图形化所述第一抗反射层、介质层和部分刻蚀停止层，以形成第一镶嵌图形；去除具有第一图形的抗蚀剂层和第一抗反射层；对已形成第一镶嵌图形的半导体基底执行高密度等离子体氧化操作；在已经历所述氧化操作的半导体基底上顺序形成第二抗反射层和具有第二图形的抗蚀剂层，在形成第二抗反射层后，形成具有第二图形的抗蚀剂层之前，还包含对已形成第二抗反射层的半导体基底执行氧化操作；以所述具有第二图形的抗蚀剂层为掩膜，顺序图形化所述第二抗反射层和介质层，以形成第二镶嵌图形；去除具有第二图形的抗蚀剂层、第二抗反射层以及所述第二抗反射层覆盖的刻蚀停止层。