| 发明名称 | 磁性存储装置 | ||
| 摘要 | 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)(37)，通过隔离晶体管(81)将比特线(31)连接至感应线(49)。MTJ(37)包括具有难磁化轴的铁磁层。辅助电流线(33)位于比特线(31)之上并与比特线(31)隔离。MTJ(37)可在第一相对高的阻态和第二相对低的阻态之间转换。辅助电流线(33)沿着铁磁层的难磁化轴施加磁场，其不依赖于流过MTJ(37)的电流而辅助MTJ(37)在第一态和第二态之间转换。 | ||
| 申请公布号 | CN101068036B | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200610169475.9 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;国家科学研究中心;巴黎第十一大学 | 发明人 | 伊藤显知;高桥宏昌;河原尊之;竹村理一郎;蒂博·德沃尔代;保罗·克罗扎;约-冯·基姆;克洛德·沙佩尔 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静 |
| 主权项 | 一种磁性存储装置，包括：第一(31；201)和第二(49；217)引线；磁阻多层结构(37；207；247；255)，设置在所述引线之间使得电流可以穿过多层结构的各层由第一引线流向第二引线，所述多层结构表现出相对较高的第一阻态和相对较低的第二阻态，所述多层结构包括具有难磁化轴和易磁化轴的第一铁磁层(83；249；257)，并且所述多层结构可在所述第一阻态和第二阻态之间转换；其特征在于包括磁场源(33；203)，用于不依赖流过多层结构的电流而可控制地沿着铁磁层的难磁化轴施加磁场以辅助多层结构在第一阻态和第二阻态之间转换，其中磁场源(33；203)包括伸长的导体，其具有平行于第一铁磁层(83；249；257)易磁化轴设置的纵向轴。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||