发明名称 |
凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件及其制作方法,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、栅场板(10)、漏场板(12)和保护层(13),该漏场板(12)与漏极(5)电气连接,该栅场板(10)与绝缘槽栅(8)电气连接,其中,势垒层上开有凹槽(6);栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立,且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点,可制作大功率器件。 |
申请公布号 |
CN101414635B |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200810232529.0 |
申请日期 |
2008.12.01 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
毛维;杨;郝跃;过润秋 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 |
王品华;朱红星 |
主权项 |
一种凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件,包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、栅场板(10)、漏场板(12)和保护层(13),该漏场板(12)与漏极(5)电气连接,该栅场板(10)与绝缘槽栅(8)电气连接,其特征在于,势垒层(3)上开有凹槽(6);栅场板与漏场板之间的钝化层(9)上淀积有n个浮空场板(11),n≥1,栅场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.08~1.3μm,漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07~1.16μm,各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.11~1.8μm的方式均匀分布于栅场板与漏场板之间;每个浮空场板的厚度均为0.35~5.7μm,每个浮空场板的长度均为0.26~4μm,栅场板的有效长度为0.3~5μm,漏场板的有效长度为0.2~5μm。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白路2号 |