| 发明名称 | 带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍射光栅的一侧制作有反射光栅，在衍射光栅的另一侧为锥形波导，该锥形波导长度大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤，该光纤的一端靠近顶硅层上的衍射光栅。 | ||
| 申请公布号 | CN101793998A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN201010121744.0 | 申请日期 | 2010.03.10 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 朱宇;李智勇;俞育德;余金中 |
| 分类号 | G02B6/34(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍射光栅的一侧制作有反射光栅，在衍射光栅的另一侧为锥形波导，该锥形波导长度大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤，该光纤的一端靠近顶硅层上的衍射光栅。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||