| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含形成一牺牲层于一基材上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上；于该基材上进行离子注入；施予一硫酸(H2SO4)及过氧化氢(H2O2)溶液以移除该图案化光致抗蚀剂层；对该基材进行一清洁工艺；以及进行一湿式蚀刻工艺以移除该牺牲层。本发明可具有各种优点。可有效移除光致抗蚀剂并降低对基材的伤害，可实质上减少或避免在光致抗蚀剂移除之后的基材凹陷。通过以牺牲层作为保护层，可减少光致抗蚀剂残余物。任何在牺牲层上的缺陷及残余物可被底切(undercut)或溶解至湿式化学品中，残余物及缺陷因此可从晶片表面离去(lifted off)。此外，牺牲层可增进光致抗蚀剂黏着性。 | ||
| 申请公布号 | CN101794071A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200910173268.4 | 申请日期 | 2009.09.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：形成一牺牲层于一基材上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上；对该基材进行离子注入；施予一第一湿式蚀刻溶液以移除该图案化光致抗蚀剂层；以及施予一第二湿式蚀刻工艺以移除该牺牲层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||