晶圆级芯片尺寸半导体装置封装组合物及其相关方法

摘要

本发明一般涉及晶圆级芯片尺寸半导体装置封装组合物，所述组合物能够提供高密度、小尺寸电路线而无需利用光刻。所述晶圆级封装包括应力缓冲层，所述应力缓冲层包含未活化形式的以及激光活化形式的聚合物粘合剂和尖晶石晶体填料。所述应力缓冲层被激光图案化，从而活化填料，随后可选择性地金属化所述激光烧蚀通道。

主权项

一种晶圆级芯片封装组合物，所述组合物包含：应力缓冲层，所述应力缓冲层包含聚合物粘合剂和尖晶石晶体填料，所述尖晶石晶体填料既可为未活化形式也可为激光活化形式，所述聚合物粘合剂的含量为所述应力缓冲层的40％至97％重量，所述聚合物粘合剂选自：聚酰亚胺，苯并环丁烯聚合物，聚苯并噁唑，环氧树脂，二氧化硅填充的环氧化物，双马来酰亚胺树脂，双马来酰亚胺三嗪，含氟聚合物，聚酯，聚苯醚/聚亚苯基醚树脂，聚丁二烯/聚异戊二烯交联树脂(及其共聚物)，液晶聚合物，聚酰胺，氰酸酯，上述任何一种的共聚物，以及上述任何一种的组合，所述尖晶石晶体填料的含量为所述应力缓冲层的3％至60％重量，所述未活化形式的尖晶石晶体填料由化学式AB2O4和BABO4进一步限定，其中A为2价金属阳离子并选自铜、钴、锡、镍、以及它们中的两种或更多种的组合，并且B为3价金属阳离子并选自镉、锰、镍、锌、铜、钴、锰、锡、钛、铁、铝、铬、以及它们中的两种或更多种的组合，所述激光活化的尖晶石晶体填料具有与金属通道的电连接，所述金属通道的至少一部分具有与半导体装置焊垫和焊球这两者的电连接。