发明名称 |
一种磁性存储器装置 |
摘要 |
本发明公开一种非易失性存储器设备。该设备包括基板、至少一个相对高磁导率的导线、以及至少一个磁阻性存储器单元,其以一绝缘材料与该至少一个相对高磁导率导线分隔,且其位于该相对高磁导率导线中所感应的磁场中的区域。本发明还公开了用以制造该设备的方法。 |
申请公布号 |
CN1953227B |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN200610138892.7 |
申请日期 |
2006.09.21 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
何家骅;谢光宇 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;H01F10/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
一种非易失性存储器设备,其包括:一基板;位于该基板上的相对高磁导率的导体设备,其中该相对高磁导率导体设备包括多边形的横截面、并包括一材料其磁导率μ介于10至108之间;以及磁阻性存储器单元,在其与该相对高磁导率导体设备之间配置有非导磁性导体材料,且所述磁阻性存储器单元位于介于该相对高磁导率导体设备的相邻二角落间的区域,其中该磁阻性存储器单元不会在二角落区域;其中该相对高磁导率导体设备比该磁阻性存储器单元宽;该相对高磁导率导体设备与该磁阻性存储器单元之间的距离介于4nm至100nm之间。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |