发明名称 用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术
摘要 本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中,所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。
申请公布号 CN101346803B 申请公布日期 2010.08.04
申请号 CN200680049162.8 申请日期 2006.12.06
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 拉塞尔·J·罗;乔纳森·G·英格兰;史蒂夫·E·克劳斯;艾立克·D·赫尔曼森
分类号 H01L21/302(2006.01)I 主分类号 H01L21/302(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁
主权项 一种用于在离子注入器中减少光致抗蚀剂释气效应的设备,其特征在于所述的设备包括:漂移管,其位于终端站与上游束线组件之间;低温冷却面板阵列,其位于所述漂移管内部,所述低温冷却面板俘获从所述终端站向上游迁移的至少一部分微粒;第一可变孔径,其位于所述漂移管与所述终端站之间;以及第二可变孔径,其位于所述漂移管与所述上游束线组件之间;其中所述第一可变孔径和所述第二可变孔径可经调节以促进差动抽吸。
地址 美国麻萨诸塞州