通过压力控制远程等离子体源改进清洁率

摘要

本发明一般包含一种用来清洁大面积基板处理腔室的方法。随着腔室体积增加，意外地发现简单地放大清洁条件并不足以有效地将硅从暴露的腔室表面上清除掉。沉积在暴露的腔室表面上的硅会污染太阳能面板的制造过程。提高腔室压力至约10托或更高，同时维持腔室温度在约150℃至250℃之间，可提高等离子体的清洁有效性，使得可从腔室内移除硅沉积。组合使用高压和低温可在不需牺牲太阳能面板制造中的基板产出率的情况下，有效减少基板被污染的几率。

主权项

一种清洁腔室的方法，包含：使清洁气体流入到一远程等离子体源中；点燃该远程等离子体源中的等离子体；将该等离子体引入到一处理腔室内，该处理腔室维持在约10托及以上的压力，且该处理腔室的尺寸可承接表面积约为50,000平方厘米或更大的基板；及用该等离子体清洁该处理腔室。