| 发明名称 | 湿法清洗工艺及使用此清洗工艺的半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种湿法清洗工艺，适用于经过碱液或有机溶液处理的基底，此方法包括至少进行一次第一冲洗步骤，接着，再进行第二冲洗步骤。第一冲洗步骤包括以含有二氧化碳的去离子水冲洗基底，接着，将含有二氧化碳的去离子水排除，使基底暴露于充满二氧化碳的气体环境中。第二冲洗步骤则是以含有二氧化碳的去离子水冲洗基底。 | ||
| 申请公布号 | CN101266914B | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200710086372.0 | 申请日期 | 2007.03.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许荐恩;梁志楠;李浡升 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种湿法清洗工艺，包括：至少进行第一冲洗步骤，该步骤包括：以含有二氧化碳的去离子水冲洗基底，该基底上包括金属材料；以及在冲洗该基底之后，排除该含有二氧化碳的去离子水，且同时持续通入二氧化碳，使该基底上的该金属材料暴露于充满二氧化碳的气体环境中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||