发明名称 |
资料储存型闪存的数据更新方法及装置、存储设备 |
摘要 |
本发明涉及NAND Flash,公开了资料储存型闪存的数据更新方法及装置、存储设备。所述资料储存型闪存的数据更新方法包括步骤:接收更新数据;如果所述更新数据需写入的地址与前一次写操作的存储地址连续,紧接所述存储地址写入所述更新数据;反之判断所述更新数据的长度是否大于预设值;如果所述更新数据的长度大于所述预设值,将前一次写操作所执行块中的下半部分以及上半部分数据复制到所述更新数据需写入的新块中,将所述更新数据写入所述新块;反之将所述更新数据写入资料储存型闪存中用于暂存数据的缓存块,所述缓存块与至少一个逻辑块对应,所述缓存块所包括的页与所述逻辑块所包括的页对应。可以减少对NAND Flash进行写与擦除的操作的次数。 |
申请公布号 |
CN101794257A |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN200910189254.1 |
申请日期 |
2009.12.22 |
申请人 |
深圳市硅格半导体有限公司 |
发明人 |
李发生;罗胜;张彦伟;成晓华 |
分类号 |
G06F12/08(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/08(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 |
代理人 |
胡海国 |
主权项 |
一种资料储存型闪存的数据更新方法,其特征在于,包括步骤:接收更新数据;判断所述更新数据需写入的地址是否与前一次写操作的存储地址连续;如果所述更新数据需写入的地址与前一次写操作的存储地址连续,紧接所述存储地址写入所述更新数据;如果所述更新数据需写入的地址与前一次写操作的存储地址不连续,判断所述更新数据的长度是否大于预设值;如果所述更新数据的长度大于所述预设值,将前一次写操作所执行块中的下半部分以及上半部分数据复制到所述更新数据需写入的新块中,将所述更新数据写入所述新块;如果所述更新数据的长度小于或等于所述预设值,将所述更新数据写入资料储存型闪存中用于暂存数据的缓存块,所述缓存块与至少一个逻辑块对应,所述缓存块所包括的页与所述逻辑块所包括的页对应。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新区南区科苑南路留学生创业大厦2208号 |