| 发明名称 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明是一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：在基板上涂覆将高分子导电材料溶解到绝缘性溶媒中而得到的涂覆液，在该基板上形成涂覆膜的涂覆膜形成工序(a)；在涂覆膜形成工序(a)之后进行的对上述涂覆膜进行热处理的热处理工序(b)；在一系列涂覆膜形成工序(a)和热处理工序(b)之前或者之后，在上述基板上形成栅电极的电极形成工序(c)，形成被分离为作为绝缘层的表层部和作为有机半导体层的内层部的状态，可以将该表层部和内层部分别用作栅极绝缘膜和场效应型晶体管的沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN101796645A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200880105463.7 | 申请日期 | 2008.09.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐藤浩 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李伟;舒艳君 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：在基板上涂覆将高分子导电材料溶解到绝缘性溶媒中而得到的涂覆液，在该基板上形成涂覆膜的涂覆膜形成工序(a)；在涂覆膜形成工序(a)之后进行的对上述涂覆膜进行热处理的热处理工序(b)；在一系列涂覆膜形成工序(a)和热处理工序(b)之前或者之后，在上述基板上形成栅电极的电极形成工序(c)，形成被分离为作为绝缘层的表层部和作为有机半导体层的内层部的状态，可以将该表层部和内层部分别用作栅极绝缘膜和场效应型晶体管的沟道。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||