发光二极体列印条及其应用;LIGHT EMITTING DIODE PRINTBAR AND APPLICATIONS THEREOF

摘要

一种发光二极体列印条(Light Emitting Diode Print Bar)包括：基材以及复数个线性排列于基材上的发光二极体晶粒。其中这些发光二极体晶粒彼此相距有一段距离，每一个些发光二极体晶粒具有至少一个侧壁与其他发光二极体晶粒之一者相邻，且每一该些发光二极体的每一个侧壁具有至少一个凹槽形成于其上。

主权项

1.一种发光二极体列印条(Light Emitting Diode Printer；LED Printer)，包括：一基材；以及复数个发光二极体晶粒，线性排列于该基材之上，其中该些发光二极体晶粒彼此相距有一距离，每一该些发光二极体晶粒具有至少一侧壁与其他该些发光二极体晶粒之一者相邻，且每一该些发光二极体晶粒的每一该至少一侧壁具有至少一凹槽形成于其上。 ;2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体列印条，更包括复数条内连线形成于该基材之中，且该些内连线系分别与该些发光二极体晶粒电性连结。 ;3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体列印条，其中每一该至少一侧壁与该基材夹有大于0 o 的一角度。 ;4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体列印条，其中每一该些发光二极体晶粒具有一出光面与该基材平行。 ;5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体列印条，其中每一该至少一凹槽之最大开口宽度与该凹槽之深度之比值实质介于3.1至3.4之间。 ;6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体列印条，其中该发光二极体晶粒之材料为磷化铝铟镓(AlGaInP)系列或氮化镓(AlGaN)系列。 ;7.一种发光二极体复印机，包括：一发光二极体列印条，包括：一基材；以及复数个发光二极体晶粒，线性排列于该基材之上，其中该些发光二极体晶粒彼此相距有一距离，每一该些发光二极体晶粒具有至少一侧壁与其他该些发光二极体晶粒之一者相邻，且每一该些发光二极体晶粒的每一该至少一侧壁具有至少一凹槽形成于其上；以及一感光元件，对应于该发光二极体列印条，用来感应该些发光二极体晶粒所出射之光线。 ;8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体复印机，更包括复数条内连线形成于该基材之中，且该些内连线分别与该些发光二极体晶粒电性连结。 ;9.如申请专利范围第7项所述之发光二极体复印机，其中每一该至少一侧壁与该基材夹有大于0的一角度。 ;10.如申请专利范围第7项所述之发光二极体复印机，其中每一该些发光二极体晶粒具有一出光面与该基材平行。 ;11.如申请专利范围第7项所述之发光二极体复印机，其中每一该至少一凹槽之最大开口宽度与该凹槽之深度之比值实质介于3.1至3.4之间。 ;12.如申请专利范围第7项所述之发光二极体复印机，其中该发光二极体晶粒之材料为磷化铝铟镓(AlGaInP)系列或氮化镓(GaN)系列。 ;13.一种发光二极体列印条的制造方法，包括：提供一基材；于该基材上形成一磊晶层；图案化该磊晶层，以形成复数个发光二极体晶粒，线性排列于该基材之上，并使每一该些发光二极体晶粒与其他该些发光二极体晶粒之一者相邻之每一侧壁，具有至少一凹槽。 ;14.如申请专利范围第13项所述之发光二极体列印条的制造方法，其中提供该基材之步骤，更包括形成复数条内连线形成于该基材之中。 ;15.如申请专利范围第13项所述之发光二极体列印条的制造方法，其中形该磊晶层之步骤包括：采用分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy；MBE)或金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)法于该基材上形成具有多层量子井(Multiple Quantum Wells)结构的该磊晶层。 ;16.如申请专利范围第13项所述之发光二极体列印条的制造方法，其中图案化该磊晶层之步骤，系采用包括有磷酸(H3 PO4)、过氧化氢(H2 O2)以及水的一蚀刻剂来进行。 ;17.如申请专利范围第16项所述之发光二极体列印条的制造方法，其中该蚀刻剂中的磷酸的体积浓度实质介于0.05g/L至0.15g/L之间，且该蚀刻剂中的过氧化氢的体积浓度实质介于0.85g/L至0.95g/L之间。 ;18.如申请专利范围第17项所述之发光二极体列印条的制造方法，其中该蚀刻剂中的磷酸的体积浓度实质为0.1g/L，且该蚀刻剂中的过氧化氢的体积浓度实质为0.9g/L。 ;19.如申请专利范围第13项所述之发光二极体列印条的制造方法，其中蚀刻该些发光二极体晶粒之步骤包括实质值介于0℃至5℃的一反应温度。 ;20.如申请专利范围第19项所述之发光二极体列印条的制造方法，其中蚀刻该些发光二极体晶粒之步骤的该反应温度实质为3℃。;根据以上所述之较佳实施例，并配合所附图式说明，读者当能对本发明之目的、特征、和优点有更深入的理解。但值得注意的是，为了清楚描述起见，本说明书所附之图式并未按照比例尺加以绘示。;图式简单说明如下：;第1图系根据席之技术所绘示的一种发光二极体列印条的结构剖面图。;第2图系根据本发明的较佳实施例所绘示的一种适用于发光二极体复印机的发光二极体列印条200的结构剖面图。;第3图系绘示形成第2图之发光二极体列印条200的制造流程图。