记忆体的使用方法;METHOD FOR ACCESSING MEMORY

摘要

一种记忆体的使用方法，此方法系在接收到一个记忆体存取指令时，即进入一个记忆体存取模式，而将系统之晶片组之低阶记忆体顶端(Top of Low Memory,TOLM)暂存器的TOLM值更新为记忆体之最高位址。其中，上述记忆体存取指令系要求使用系统之记忆体中由记忆体映射输入输出功能(Memory－Mapped Input Output,MMIO)所占用之位址空间对应之记忆体区块。接着，系统即可依据记忆体存取指令中记录之位址空间，存取记忆体中对应之记忆体区块，并在存取结束后，离开此记忆体存取模式，而将原始之TOLM值写回TOLM暂存器。据此，本发明即可存取此”MMIO”记忆体区块，避免记忆体的浪费。

主权项

1.一种记忆体的使用方法，包括下列步骤：接收一记忆体存取指令，其中该记忆体存取指令系要求使用一系统之一记忆体中由一记忆体映射输入输出(Memory Mapped Input Output,MMIO)功能所占用之一位址空间对应之一记忆体区块；进入一记忆体存取模式，而将该系统之一晶片组之一低阶记忆体顶端(Top of Low Memory,TOLM)暂存器的一TOLM值更新为该记忆体之一最高位址；依据该记忆体存取指令中记录之该位址空间，存取该记忆体中对应之该记忆体区块；以及离开该记忆体存取模式，而将原始之该TOLM值写回该TOLM暂存器。 ;2.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中将该系统之该晶片组之该TOLM暂存器的该TOLM值更新为该记忆体之该最高位址的步骤包括：取得该系统之该晶片组的一输入输出先进可程式化中断控制器(I/O Advanced Programmable Interrupt Controller,IOAPIC)之一基本位址；比较该最高位址及该基本位址之大小；若该最高位址大于等于该基本位址，则将该基本位址写入该TOLM暂存器；以及若该最高位址小于该基本位址，则将该最高位址写入该TOLM暂存器。 ;3.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中在进入该记忆体存取模式，而将该系统之该晶片组之一TOLM暂存器的该TOLM值更新为该记忆体之该最高位址的步骤之后，更包括：载入一程式码至该记忆体映射输入输出功能所占用之该位址空间所对应之该记忆体区块；以及执行该程式码，并在该程式码执行完毕时，离开该记忆体存取模式。 ;4.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中在进入该记忆体存取模式之后更包括禁能该系统对一记忆体映射输入输出暂存器的一存取功能。 ;5.如申请专利范围第4项所述之记忆体的使用方法，其中在离开该记忆体存取模式之后更包括致能该系统对该记忆体映射输入输出暂存器的该存取功能。 ;6.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中该最高位址系为对应于该记忆体之总容量大小的该位址空间。 ;7.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中该最高位址包括根据该系统管理基本输入输出系统资料中有关于该记忆体的资料计算而得。 ;8.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中该记忆体存取指令包括由该系统之一作业系统及一应用程式其中之一所发出。 ;9.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中在进入该记忆体存取模式之后更包括：储存该系统之该晶片组之该TOLM暂存器原始的该TOLM值。 ;10.如申请专利范围第1项所述之记忆体的使用方法，其中该晶片组包括北桥晶片。;图1是依照本发明一实施例所绘示之记忆体位址空间的配置图。;图2是依照本发明一实施例所绘示之记忆体位址空间与实体记忆体的对应关系图。;图3是依照本发明一实施例所绘示之记忆体的使用方法流程图。;图4是依照本发明另一实施例所绘示之记忆体的使用方法流程图。