由底层基材、抗反射膜与光阻膜所形成之光阻图型形成用材料

摘要

本发明系提供可溶于有机溶剂，依据常用之旋转涂布法而可简单地涂布，保存安定性佳，并且依据导入吸收放射线之发色团而可调整其抗反射能力之形成抗反射膜用组成物。本发明所提供之形成抗反射膜用组成物系以将(A)由10至90莫耳%之(a1)(羟基苯基烷基)倍半矽氧烷单位、0至50莫耳%之(a2)(烷氧基苯基烷基)倍半矽氧烷单位、及10至90莫耳%之(a3)烷基或苯基倍半矽氧烷单位所形成之梯型聚矽氧烷共聚物、(B)依据热或光而发生酸之酸发生剂以及(C)交联剂，溶解于有机溶剂所形成，而且可形成对于ArF准分子雷射之光学参数(k值，消光系数)为0.002至0.95之范围之抗反射膜为特征。

主权项

1.一种由底层基材、抗反射膜与光阻膜所形成之光阻图型形成用材料，其为于底层基材与光阻膜之间具有抗反射膜之光阻图型形成用材料，其特征为，抗反射膜为，由(A)由10至90莫耳%之(a1)(羟基苯基烷基)倍半矽氧烷单位、0至50莫耳%之(a2)(烷氧基苯基烷基)倍半矽氧烷单位，及10至90莫耳%之(a3)苯基倍半矽氧烷单位所形成之梯型聚矽氧烷共聚物、(B)依据热或光而发生酸之酸发生剂以及(C)交联剂之有机溶剂溶液所形成之涂膜，且对于ArF准分子雷射之光学参数(k值，消光系数)为0.002至0.95之范围。 ;2.如申请专利范围第1项之由底层基材、抗反射膜与光阻膜所形成之光阻图型形成用材料，其中除了(A)成份、(B)成份及(C)成份以外，再含有(D)线型聚合物。 ;3.如申请专利范围第2项之由底层基材、抗反射膜与光阻膜所形成之光阻图型形成用材料，其中该(D)线型聚合物为至少含有含羟基(甲基)丙烯酸酯单位之聚合物。 ;4.如申请专利范围第3项之由底层基材、抗反射膜与光阻膜所形成之光阻图型形成用材料，其中该(D)线型聚合物为至少含有具有含羟基脂肪族多环式基之(甲基)丙烯酸酯单位之聚合物。 ;5.如申请专利范围第3项之由底层基材、抗反射膜与光阻膜所形成之光阻图型形成用材料，其中该(D)线型聚合物为至少由10至60莫耳%之(d1)，以一般式(式中之R 1 为氢原子或甲基，R 2 为碳数1~5之烷基)所表示之结构单位，及30至80莫耳%之(d2)，以一般式(式中之R 3 为氢原子或甲基)所表示之结构单位，以及10至50莫耳%之(d3)，以一般式(式中之R 4 为氢原子或甲基)所表示之结构单位所形成之线型共聚物。;图1系表示关于光学参数(k值)为0.67之本发明组成物之膜厚度与反射率之关系图。