| 发明名称 | 集成电路的内联机结构、镶嵌式结构以及半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路的内联机结构，包括：半导体基底；在该半导体基底上的低介电常数材料层；在该低介电常数材料层中的导体；在该导体上的第一顶盖层，其中该第一顶盖层的材料包括钴、镍、钨、钼、钽、硼、铁、磷及其组合；以及第二顶盖层于该第一顶盖层上，其中该第二顶盖层包括金属硅化物或锗化物，并且该第二顶盖层是由该第一顶盖层部分硅化或锗化而成。本发明借由在铜导线的顶部上形成硅化物或锗化物层，使得内联机结构整体的电阻率及可靠度得以提升。 | ||
| 申请公布号 | CN101051631B | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200710087828.5 | 申请日期 | 2007.03.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;卢永诚;张惠林;沈定宇;蔡宏骏 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郭晓东 |
| 主权项 | 一种集成电路的内联机结构，包括：半导体基底；在该半导体基底上的低介电常数材料层；在该低介电常数材料层中的导体；在该导体上的第一顶盖层，其中该第一顶盖层的材料包括钴、镍、钨、钼、钽、硼、铁、磷及其组合；以及第二顶盖层于该第一顶盖层上，其中该第二顶盖层包括金属硅化物或锗化物，并且该第二顶盖层是由该第一顶盖层部分硅化或锗化而成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||