高k/金属栅极晶体管的接触部中的硅化物层

摘要

一种用于在高k/金属栅极晶体管中形成金属硅化物层的方法，包括：在衬底上形成具有牺牲栅极的晶体管；在所述衬底上沉积第一ILD层；去除所述牺牲栅极以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内沉积高k电介质层；对所述高k电介质层进行退火；在所述栅极沟槽内沉积第一金属层；在所述第一ILD层和所述晶体管上沉积第二ILD层；蚀刻所述第一和第二ILD层以形成向下延伸到所述晶体管的源极区和漏极区的第一接触沟槽和第二接触沟槽；在所述接触沟槽内沉积第二金属层；对第二金属层进行退火以形成金属硅化物层；以及在所述第一和第二接触沟槽内沉积第三金属层以填充所述接触沟槽。

主权项

一种方法，其包括：在衬底上形成具有牺牲栅极的晶体管；在所述衬底上沉积第一ILD层；去除所述牺牲栅极以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内沉积高k电介质层；对所述高k电介质层进行退火；在所述栅极沟槽内沉积第一金属层；在所述第一ILD层和所述晶体管上沉积第二ILD层；蚀刻所述第一和第二ILD层以形成延伸到所述晶体管的源极区的第一接触沟槽以及延伸到所述晶体管的漏极区的第二接触沟槽；在所述接触沟槽内沉积第二金属层；对所述第二金属层进行退火，使所述第二金属层发生反应并在所述源极和漏极区上形成金属硅化物层；以及在所述第一和第二接触沟槽内沉积第三金属层以填充所述接触沟槽。