发明名称 | 用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚 | ||
摘要 | 本发明涉及一种用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚为铱金坩埚;其特征在于,还包括:垂向固定于所述铱金坩埚内底面中心处的铱金支撑立柱;固定于所述铱金支撑立柱上端呈水平放置的铱金片,所述铱金片边缘与铱金坩埚边缘保留空隙;所述铱金片为平面型、凹面型或凸面型;铱金坩埚中安装的铱金片起到热源的作用,有效改变了生长界面处的气液温差,加强了质量输运和热量传输,生长出的晶体无包裹体、生长条纹等缺陷,可大幅度提高晶体利用率。 | ||
申请公布号 | CN101787560A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
申请号 | CN200910076877.8 | 申请日期 | 2009.01.23 |
申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 胡章贵;张国春;张辉;郑丽丽 |
分类号 | C30B15/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王凤华 |
主权项 | 一种用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚,包括铱金坩埚本体;其特征在于,还包括:垂向固定于所述铱金坩埚本体内底面中心处的铱金支撑立柱;和固定于所述铱金支撑立柱上端呈水平放置的铱金片;所述铱金片边缘与铱金坩埚本体边缘保留空隙。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条2号 |