| 发明名称 | 用于半导体衬底掺杂剂活化的RTP尖峰退火 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有多个有源器件构图的半导体衬底。有源器件构图中至少一些包括掺杂区域。衬底具有多个表面区域，包括有源器件构图和非构图区域，其对于近红外波长的光分别具有不同的反射率。确定在近红外波长的最大反射率和在近红外波长的最小反射率之间的第一差值。确定第二红外波长，对于它的最大反射率和最小反射率之间的第二差值基本小于在近红外波长的第一差值。在衬底上使用提供第二波长的光的第二光源进行快速热处理(RTP)尖峰退火掺杂剂活化步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101789365A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200910162398.8 | 申请日期 | 2009.08.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林金明;杨宗儒;杨棋铭 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 马佑平;马铁良 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供半导体衬底，其具有多个形成在其上或其中的构图，所述构图中至少一些包括掺杂区域，所述衬底具有多个表面区域，包括构图和非构图区域，其对于近红外波长的光分别具有不同的反射率；以及在衬底上使用远红外光进行快速热处理(RTP)尖峰退火掺杂剂活化步骤。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||