| 发明名称 | 金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法，所述电容结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上逐层形成的金属-绝缘体-金属电容；在相邻两层金属-绝缘体-金属电容之间形成的金属互连层；其中，至少两层的金属-绝缘体-金属电容通过金属互连层并联。具有如下优点：不增加占用面积的情况下，增大了金属-绝缘体-金属电容的容量，各层重复的金属-绝缘体-金属电容制作步骤有利于降低工艺的成本和兼容度，且便于制程整合易于实现。 | ||
| 申请公布号 | CN101789429A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200910045899.8 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张步新;王媛 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/782(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种金属-绝缘体-金属电容结构，其特征在于，包括：半导体衬底；在半导体衬底上逐层形成的金属-绝缘体-金属电容；在相邻两层金属-绝缘体-金属电容之间形成的金属互连层；其中，至少两层的金属-绝缘体-金属电容通过金属互连层并联。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||