一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法

摘要

本发明提供了一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在去除氮氧化硅前进行热处理致使氮氧化硅致密而无法彻底去除，从而影响有源区上的元件和半导体器件的性能。本发明的可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上制作衬垫氧化层以及由氮氧化硅层和氮化硅层上下层叠而成的保护阻挡层；接着光刻并蚀刻出隔离沟槽；然后在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；之后通过化学气相沉积填充该隔离沟槽；接着进行化学机械抛光工艺以去除氮氧化硅层而形成沟槽隔离结构，最后去除氮化硅层和衬垫氧化层。采用本发明的可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法可避免氮氧化硅残留，从而大大提高半导体器件的性能。

主权项

一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法，该沟槽隔离结构制作在硅衬底上，该制作方法包括以下步骤：(1)、在该硅衬底上制作衬垫氧化层；(2)、在衬垫氧化层上制作保护阻挡层，该保护阻挡层包括上下层叠的氮氧化硅层和氮化硅层；(3)、光刻并蚀刻出隔离沟槽；(4)、在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；(5)、通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；(6)、进行化学机械抛光工艺以去除氮氧化硅层而形成沟槽隔离结构；(7)、去除氮化硅层；(8)、去除硅衬底上的衬垫氧化层；其特征在于，该方法在步骤(6)和步骤(7)间还具有热处理的步骤。