| 发明名称 | 一种动态随机存储器的阵列结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种动态随机存储器的阵列结构及其制备方法。该动态随机存储器的阵列结构利用竖直MOS场效应晶体管作为动态随机存储器的阵列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直MOS场效应晶体管阵列器件的埋层位线。所述的竖直MOS场效应晶体管阵列器件含有埋层金属双栅结构，并且所述的埋层金属双栅结构同时作为该动态随机存储器的阵列结构的埋层字线。本发明所公开的动态随机存储器的阵列结构可以提高动态随机存储器的集成密度、降低埋层位线的电阻率，还可以增强阵列器件的存储性能。同时，本发明还提出了一种动态随机存储器的阵列结构的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101789433A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN201010105582.1 | 申请日期 | 2010.02.04 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 吴东平;张世理;王鹏飞;张卫 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种动态随机存储器的阵列结构，其特征在于，该动态随机存储器的阵列结构利用竖直MOS场效应晶体管作为动态随机存储器的阵列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直MOS场效应晶体管阵列器件的埋层位线；所述的竖直MOS场效应晶体管阵列器件含有埋层金属双栅结构；所述的埋层金属双栅结构用作所述动态随机存储器的阵列结构的埋层字线。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||