消除PECVD膜的第一晶片效应

摘要

本发明大体上提供了用于消除等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中“第一晶片效应”的装置和方法。本发明的一种实施例提供了用于在室空闲了一段时间之后使室做好准备的方法。该方法包括在清洁步骤之后，根据空闲时间长度调整进行干燥步骤和加热步骤。

主权项

一种在化学气相沉积室空闲了一段时间之后使所述化学气相沉积室作好准备的方法，包括：用第一活化粒子清洁所述化学气相沉积室；在清洁所述化学气相沉积室后，通过发送第一气体混合物并同时向所述第一气体混合物施加射频功率，来干燥所述化学气相沉积室；在干燥所述化学气相沉积室后，通过发送加热气体并同时向所述加热气体施加射频功率，来加热所述化学气相沉积室中的面板。