光电二极体阵列及其制造方法，及放射线检测器;A PHOTO ELECTRIC DIODES ARRAY AND THE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND A RADIATION RAY DETECTOR

摘要

光电二极体阵列1系具备n型矽基板3。在n型矽基板3之被检测光L之入射面的相反面侧,复数个光电二极体4系形成阵列状。设置至少将n型矽基板3中之被检测光L的入射面侧之形成有光电二极体4的区域所对应之区域予以被覆且使被检测光L透过之树脂膜6。

主权项

1.一种光电二极体阵列，其特征为具备：半导体基板；于该半导体基板之被检测光之入射面的相反面侧，阵列状地形成复数个光电二极体；且设置有至少把该半导体基板之被检测光的该入射面侧上之与形成有该光电二极体的区域对应的区域予以被覆而使被检测光透过的树脂膜。 ;2.如申请专利范团第1项之光电二极体阵列，其中在该半导体基板之被检测光的该入射面之该相反面侧，阵列状地形成有复数个具有规定深度之凹部，该各光电二极体系各自形成在该凹部之底部。 ;3.如申请专利范围第1项或第2项之光电二极体阵列，其中该树脂膜系设置成被覆该半导体基板之被检测光的入射面全体。 ;4.如申请专利范团第1项或第2项之光电二极体阵列，其中于该半导体基板设置有在邻接的该各光电二极体之间用以分离该各光电二极体的不纯物区域。 ;5.如申请专利范团第3项之光电二极体阵列，其中于该半导体基板设置有在邻接的该各光电二极体之间用以分离该各光电二极体的不纯物区域。 ;6.如申请专利范团第1项或第2项之光电二极体阵列，其中在该半导体基板之被检测光的该入射面侧，形成有与该半导体基板相同之导电型的高不纯物浓度层。 ;7.如申请专利范团第3项之光电二极体阵列，其中在该半导体基板之被检测光的该入射面侧，形成有与该半导体基板相同之导电型的高不纯物浓度层。 ;8.如申请专利范团第4项之光电二极体阵列，其中在该半导体基板之被检测光的该入射面侧，形成有与该半导体基板相同之导电型的高不纯物浓度层。 ;9.如申请专利范团第5项之光电二极体阵列，其中在该半导体基板之被检测光的该入射面侧，形成有与该半导体基板相同之导电型的高不纯物浓度层。 ;10.一种光电二极体阵列之制造方法，其特征为具备：准备由第1导电型之半导体所成之半导体基板，且在该半导体基板之一面侧，形成复数个第2导电型之不纯物扩散层，而将由该各不纯物扩散层和该半导体基板所构成的复数个光电二极体以阵列状配列形成的步骤；及在该半导体基板之另一面，设置至少把与形成有该光电二极体之区域对应的区域予以被覆而使该光电二极体感应的光透过之树脂膜的步骤。 ;11.一种光电二极体阵列之制造方法，其特征为具备：准备由第1导电型之半导体所成之半导体基板，且在该半导体基板之一面侧，将凹部以阵列状配列而形成复数个之步骤；在该凹部的底部形成复数个第2导电型之不纯物扩散层，而将由该各不纯物扩散层和该半导体基板所构成之复数个光电二极体以阵列状配列而形成之步骤；及在该半导体基板之另一面，设置至少把与形成有该光电二极体之区域对应的区域予以被覆而使该光电二极体所感应的光透过之树脂膜的步骤。 ;12.如申请专利范团第10项或第11项之光电二极体阵列之制造方法，其中更具备有：在设置该树脂膜的该步骤之前，于该半导体基板之该另一面，形成第1导电型之高不纯物浓度层的步骤。 ;13.如申请专利范围第10项或第11项之光电二极体阵列之制造方法，其中更具备有在邻接的该不纯物扩散层之间设置第1导电型之不纯物区域的步骤。 ;14.如申请专利范围第12项之光电二极体阵列之制造方法，其中更具备有在邻接的该不纯物扩散层之间设置第1导电型之不纯物区域的步骤。 ;15.一种放射线检测器，其特征为具备有：申请专利范围第1项至第9项中任一项之光电二极体阵列；及与该光电二极体阵列之被检测光的该入射面对向配置，且藉由放射线的入射而发光之闪烁面板。 ;16.一种放射线检测器，其特征为具备有：由申请专利范团第11项至第14项中任一项之制造方法所制造之光电二极体阵列：及与该光电二极体阵列之设置有该树脂膜的面对向而配置，且藉由放射线的入射而发光之闪烁面板。;第1图系表示有关第1实施形态之光电二极体阵列之断面构成图。;第2图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的构成之说明图。;第3图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第4图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第5图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第6图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第7图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第8图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第9图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第10图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第11图系有关第1实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第12图系表示有关第1实施形态之光电二极体阵列之变形例的断面构成图。;第13图系表示有关第2实施形态之光电二极体阵列的断面构成图。;第14图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的构成之说明图。;第15图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第16图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第17图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第18图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第19图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第20图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第21图系有关第2实施形态之光电二极体阵列的制造步骤之说明图。;第22图系表示有关第3实施形态之放射线检测器的断面构成图。;第23图系表示有关第4实施形态之放射线检测器的断面构成图。;第24A图系模式地表示利用平夹套吸附半导体晶片的状态图。;第24B图系模式地表示利用角锥夹套吸附半导体晶片的状态图。;第25图系表示先前技术之光电二极体阵列的斜视图。;第26图系表示第25图中之XXVI-XXVI方向的断面构成模式图。