光阻体剥离剂;PHOTORESIST STRIPPING AGENT

摘要

本发明之光阻体剥离剂含一种反应产物，其系由莫耳比例为0.8或更小之甲醛与烷醇胺之反应制造。此光阻体剥离剂在低温于短时间内易于去除涂布于基板上之光阻层、在蚀刻后残留之光阻层、及蚀刻除灰后之光阻残渣。;此光阻体剥离剂亦去除光阻层及光阻残渣而不腐蚀基板线路材料、绝缘层等，而造成精密处理及提供高精确电路。

主权项

1.一种光阻体剥离剂，其包括一种由莫耳比例为0.8或更小之甲醛与烷醇胺之反应所产生之反应产物，其中烷醇胺为至少一种选自由乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基异丙醇胺、N-丙基异丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、与N-乙基-2-胺基丙-1-醇所组群组之化合物。 ;2.如申请专利范围第1项之光阻体剥离剂，其进一步包括硷化合物。 ;3.如申请专利范围第2项之光阻体剥离剂，其中硷化合物为至少一种选自由烷胺、烷醇胺、多胺、环形胺、四级铵盐、与羟基胺化合物所组群组之化合物。 ;4.如申请专利范围第1项之光阻体剥离剂，其进一步包括有机溶剂。 ;5.如申请专利范围第4项之光阻体剥离剂，其中有机溶剂为至少一种选自由醚溶剂、醯胺溶剂、醇溶剂、亚碸溶剂、碸溶剂、咪唑啶酮溶剂、与内酯溶剂所组群组之溶剂。 ;6.如申请专利范围第1项之光阻体剥离剂，其进一步包括抗腐蚀剂。 ;7.如申请专利范围第6项之光阻体剥离剂，其中抗腐蚀剂为至少一种选自由芳族羟基化合物、糖醇、三唑化合物、与螯合剂所组群组之化合物。 ;8.如申请专利范围第1项之光阻体剥离剂，其进一步包括水。 ;9.如申请专利范围第1至8项中任一项之光阻体剥离剂，其包括0.001至100重量%之甲醛与烷醇胺之反应产物，及至少一种选自由0至99.999重量%之硷化合物、0至99重量%之有机溶剂、0.1至30重量%之抗腐蚀剂、与1至50重量%之水所组群组之选用成分，各百分比系由各范围选择使得其总和达100重量%。 ;10.如申请专利范围第1至8项中任一项之光阻体剥离剂，其中甲醛与烷醇胺之反应产物为甲醛-单乙醇胺缩合物或甲醛-异丙醇胺缩合物。 ;11.如申请专利范围第1至8项中任一项之光阻体剥离剂，其中甲醛与烷醇胺之反应产物系藉包括以下之方法制造：将甲醛在搅拌下经30至1200分钟缓慢地加入预定量之烷醇胺中，同时将反应溶液之温度维持在70℃或更低之步骤；及进一步将反应溶液搅拌30至1200分钟，同时将反应溶液之温度维持在70℃或更低之选用步骤，各步骤系在钝气大气中进行。 ;12.如申请专利范围第1至8项中任一项之光阻体剥离剂，其中在以 13 C-NMR(DMSO-d6)测量时，甲醛与烷醇胺之反应产物至少在45至50、61至62、与64至70 ppm显示峰。;第1图为显示甲醛与单乙醇胺之反应液体(醛/胺=0.5莫耳比)之 13 C-NMR光谱之图表。在49.31、61.19、64.72、与68.75 ppm发现归因于反应液体中甲醛-单乙醇胺反应产物之峰化学偏移。