发明名称 喷墨头结构;INKJET PRINTHEAD
摘要 本案系为一种喷墨头结构,用以进行多色墨水之喷墨列印,其系包含:一晶片;三个轴线阵列的加热器,其系设置于该晶片上且沿纵向延伸;以及三个并列设置之供墨流道,其系分别设置于每一该轴线阵列之该加热器间,且相邻两供墨流道之间隔距离系为1.27毫米(mm)。
申请公布号 TWI327528 申请公布日期 2010.07.21
申请号 TW096111689 申请日期 2007.04.02
申请人 研能科技股份有限公司 MICROJET TECHNOLOGY CO., LTD 新竹市科学工业园区研发二路28号;D 2ND RD., SCIENCE-BASED INDUSTRIAL PARK, HSINCHU, TAIWAN. 发明人 欧享沛;张正明;廖文雄
分类号 主分类号
代理机构 代理人 王丽茹 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼;曾国轩 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼
主权项 1.一种喷墨头结构,用以进行多色墨水之喷墨列印,其系包含:一晶片,该晶片长宽比3.6~10;三个轴线阵列的加热器,其系设置于该晶片上且沿纵向延伸;以及三个并列设置之供墨流道,其系分别设置于每一该轴线阵列之该加热器间,且相邻两供墨流道之间隔距离系为1.27毫米(mm)。 ;2.如申请专利范围第1项所述之喷墨头结构,其中每一该供墨流道之宽度系为0.15毫米(mm)。 ;3.如申请专利范围第1项所述之喷墨头结构,其中每一该供墨流道之宽度系为0.17毫米(mm)。 ;4.如申请专利范围第1项所述之喷墨头结构,其中每一该供墨流道之宽度区间系为0.15~0.17毫米(mm)。 ;5.如申请专利范围第2项所述之喷墨头结构,其中该晶片之宽度系为4.5毫米(mm),该供墨流道的总宽度占该晶片的截面积比例系为(0.15mm/4.5mm)×3=10%。 ;6.如申请专利范围第3项所述之喷墨头结构,其中该晶片之宽度系为4.5毫米(mm),该供墨流道的总宽度占该晶片的截面积比例系为(0.17mm/4.5mm)×3=11.33%。 ;7.如申请专利范围第4项所述之喷墨头结构,其中该供墨流道的总宽度占该晶片的截面积比例区间系为10%~11.33%。 ;8.如申请专利范围第1项所述之喷墨头结构,其中每一该供墨流道之长度系为12.8毫米(mm)。 ;9.如申请专利范围第1项所述之喷墨头结构,其中每一该供墨流道之长度区间系为12~22毫米(mm)。 ;10.如申请专利范围第1项所述之喷墨头结构,更进一步包含有一至少接收一喷墨控制电路所输出之一串列位址信号的位址控制电路,该位址控制电路包含有一将接收的串列位址信号转换成两组并列位址信号输出的串并位址信号转换器及两个分别接收该串并位址信号转换器之输出信号并予以解码的位址解码器,促使该两个位址解码器形成M×N排并列的信号输送至具有一及闸及一加热器的喷墨驱动电路中作为喷墨控制信号。 ;11.一种喷墨头结构,用以进行单色墨水之喷墨列印,其系包含:一晶片,该晶片长宽比9.0~12.5;复数个加热器,其系设置于该晶片上,且该加热器系沿相互平行且相互间隔开的轴线排列成至少2个轴线组;一中央供墨流道,其系设置于该至少2个轴线组之该复数个加热器间;其中,该晶片之宽度系为2.8毫米(mm),该中央供墨流道之长度系为21.24毫米(mm),宽度系为0.175毫米(mm)。 ;12.如申请专利范围第11项所述之喷墨头结构,其中该中央供墨流道的总宽度占该晶片的截面积比例系为0.175mm/2.8mm=6.25%。 ;13.如申请专利范围第11项所述之喷墨头结构,更进一步包含有一至少接收一喷墨控制电路所输出之一串列位址信号的位址控制电路,该位址控制电路包含有一将接收的串列位址信号转换成两组并列位址信号输出的串并位址信号转换器及两个分别接收该串并位址信号转换器之输出信号并予以解码的位址解码器,促使该两个位址解码器形成M×N排并列的信号输送至具有一及闸及一加热器的喷墨驱动电路中作为喷墨控制信号。;第一图:其系为本案较佳实施例之适用于喷墨印表机内部之承载系统之结构示意图。;第二图(a):其系为本案第一较佳实施例之单色喷墨头之结构示意图。;第二图(b):其系为第二图(a)移除喷孔片后之结构示意图。;第三图(a):其系为本案第三较佳实施例之彩色喷墨头之结构示意图。;第三图(b):其系为第三图(a)移除喷孔片后之结构示意图。;第三图(c):其系为第三图(a)移除部分喷孔片后之结构示意图。;第四图,其系为由喷墨印表机之喷墨控制电路与喷墨头晶片之连接结构示意图。;第五图(a):其系为第四图所示之喷墨头晶片之电路结构示意图。;第五图(b):其系为第五图(a)之C部份之电路放大结构示意图。
地址 MICROJET TECHNOLOGY CO., LTD 新竹市科学工业园区研发二路28号;AMP;D 2ND RD., SCIENCE-BASED INDUSTRIAL PARK, HSINCHU, TAIWAN.