发明名称 电弧抑制配置及交流电压气体放电激励配置;ARC SUPPRESSION ARRANGEMENT AND ALTERNATING VOLTAGE GAS DISCHARGE EXCITATION ARRANGEMENT
摘要 本发明系关于一用于消除一气体放电装置(5)中之电弧的电弧抑制配置(23.1),该气体放电装置(5)系使用一交流电压尤其一MF交流电压来操作,该电弧抑制配置(23.1)具有一电弧抑制装置(18)及一控制该电弧抑制装置(18)之电弧识别装置(22),该电弧抑制装置(18)具有串联连接于一电线(17)中之至少一可控电阻器,该电线(17)自一交流电压源扩展至该气体放电装置(5)之一电极(3)。藉此可防止一电弧具备能量。
申请公布号 TWI327741 申请公布日期 2010.07.21
申请号 TW095116099 申请日期 2006.05.05
申请人 许廷格电子有限及两合公司 HUTTINGER ELEKTRONIK GMBH + CO. KG 德国 发明人 彼得 威德莫斯;玛库斯 班沃斯;罗拉 伍尔夫
分类号 主分类号
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种用于消除一气体放电装置(5)中之电弧的电弧抑制配置(23.1、23.2、23.3、23.4),该气体放电装置(5)系使用一交流电压(U)尤其一MF交流电压来操作,该电弧抑制配置(23.1、23.2、23.3、23.4)具有一电弧抑制装置(18、18.3),其中该电弧抑制装置(18、18.3)具有至少一可控电阻器,该可控电阻器系串联连接于一自一交流电压源扩展至该气体放电装置(5)之一电极(3)的电线(17)中,其特征在于该可控电阻器在无电弧操作期间具有一比一电弧出现时之电阻值低之电阻值,在于该至少一可控电阻器包含一具有一并联连接之二极体(32、33)之电晶体(30、31),以及在于一电压限制电路(35.1、35.2)系与每一电晶体(30、31)相关联,其中该电压限制电路(35.1、35.2)系设计为一旦判定一电压超过一预定值,则将该电晶体切换为导电状态。 ;2.如请求项1之电弧抑制配置,其中提供一控制该电弧抑制装置(18、18.3)之电弧识别装置(22)。 ;3.如请求项1或2之电弧抑制配置,其中该可控电阻器在无电弧操作期间具有一<1 Ω尤其0.1 Ω之电阻值,且当识别出一电弧时其具有一>100 kΩ,尤其1 MΩ之电阻值。 ;4.如请求项1之电弧抑制配置,其中该电弧抑制装置(18、18.3)具有两相反连接之电晶体(30、31),尤其为IGBT,该等电晶体经串联连接且各自具有一经并联连接之二极体(32、33)。 ;5.如请求项4之电弧抑制配置,其中该在每一状况下并联连接至一电晶体(30、31)之二极体(32、33)系配置有一与该电晶体(30、31)之导电方向相反之导电方向。 ;6.如请求项1之电弧抑制配置,其中该电弧抑制配置(23.1、23.2、23.3、23.4)具有至少一电压限制电路(35.1、35.2)。 ;7.如请求项6之电弧抑制配置,其中该电压限制电路(35、35.1、35.2)具有至少一个二极体(36.1、37.1、36.2、37.2),较佳具有复数个串联连接之二极体。 ;8.如请求项7之电弧抑制配置,其中该电压限制电路(35.1、35.2)之该等二极体(36.1、37.1、36.2、37.2)经建构为Z二极体。 ;9.如请求项1之电弧抑制配置,其中至少一可控连接配置(50、51)经配置于扩展至不同电极(3、4)的两线(17、19)之间。 ;10.如请求项9之电弧抑制配置,其中一可控连接配置(50、51)系分别提供于该电弧抑制装置(18、18.3)之两侧。 ;11.如请求项9之电弧抑制配置,其中该可控连接配置(50、51)具有至少一电晶体(52、53)。 ;12.一种交流电压气体放电激励配置(1),其包括一交流电压产生器(7.1、7.2)尤其一MF产生器及一如请求项1之电弧抑制配置(23.1、23.2、23.3、23.4),其中该交流电压产生器(7.1、7.2)具有一包括一桥接电路之电压转换器(10)及一连接至该电弧识别装置(22)之电压转换器控制系统(13)。 ;13.如请求项12之交流电压气体放电激励配置,其中该电压转换器(10)系连接至一输出振荡电路(12)。 ;14.如请求项12或13中任一项之交流电压气体放电激励配置,其中当由该电弧识别装置(22)识别出一电弧时,该电压转换器控制系统(13)以一方式控制该电压转换器(10),该方式使得该电压转换器(10)不向该输出振荡电路(12)提供能量。;图1a系一连接至一气体放电腔室之一交流电压气体放电激励配置的一第一组态;图1b系该交流电压气体放电激励配置之一替代性组态;图2系一电弧抑制配置之一实施例;图3系一电弧抑制配置之一第二实施例;图4系一电弧抑制配置之一第三实施例。
地址 HUTTINGER ELEKTRONIK GMBH + CO. KG 德国