发明名称 |
溅镀装置及溅镀方法;SPUTTERING EQUIPMENT AND SPUTTERING METHOD |
摘要 |
一种溅镀装置及溅镀方法。溅镀装置用以溅镀一薄膜于至少一基材上。溅镀装置至少包括一移动机构及一固定机构。移动机构用以带动一基材往一输送方向移动。固定机构系与移动机构耦接,且固定机构用以固定至少一靶材于基材上方。其中,靶材之长边与基材之输送方向系实质上平行。 |
申请公布号 |
TWI327603 |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
TW095145792 |
申请日期 |
2006.12.07 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
张礼凯;庄瑞诚;张孝炜;陈文杰;李天源 |
分类号 |
|
主分类号 |
|
代理机构 |
|
代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2<name>林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
1.一种溅镀装置,用以溅镀一薄膜于至少一基材上,该溅镀装置至少包括:一移动机构,用以带动该基材往一输送方向移动;及一固定机构,系与该移动机构耦接,且该固定机构用以固定至少一靶材于该基材上方;其中,该靶材之长边与该输送方向实质上平行。 ;2.如申请专利范围第1项所述之溅镀装置,其中该靶材之长边与该输送方向之间具有一夹角,该夹角系为-10°~10°。 ;3.如申请专利范围第1项所述之溅镀装置,其中该靶材系一圆柱靶。 ;4.如申请专利范围第1项所述之溅镀装置,其中该靶材系一长方形靶。 ;5.如申请专利范围第1项所述之溅镀装置,更包括:至少一挡板,系用以减少该薄膜集中溅镀于该靶材之正下方,以使该薄膜分布于该基材之厚度均匀,其中该挡板装设于该靶材及该基材之间。 ;6.如申请专利范围第5项所述之溅镀装置,其中该挡板具有一中间区域及二侧边区域,该中间区域系对应于该靶材之正下方,该些侧边区域系位于该中间区域之两侧,该中间区域沿该输送方向之长度大于该些侧边区域沿该输送方向之长度。 ;7.如申请专利范围第5项所述之溅镀装置,其中该溅镀装置包括复数个挡板,该些挡板系沿着该输送方向排列。 ;8.如申请专利范围第5项所述之溅镀装置,其中该挡板之形状为三角形、半圆形或半椭圆形。 ;9.一种溅镀方法,用以溅镀一薄膜于至少一基材上,该溅镀方法包括以下之步骤:(a)固定至少一靶材于该基材之上方,且该靶材之长边与该基材之一输送方向实质上平行;及(b)带动该基材往该输送方向移动。 ;10.如申请专利范围第9项所述之溅镀方法,其中在该步骤(a)中,该靶材之长边与该输送方向之间具有一夹角,该夹角系为-10°~10°。 ;11.如申请专利范围第9项所述之溅镀方法,其中该步骤(a)更包括:装设至少一挡板于该靶材及该基材之间;其中,该挡板具有一中间区域及二侧边区域,该中间区域系对应于该靶材之正下方,该些侧边区域系位于该中间区域之两侧,该中间区域沿该输送方向之长度大于该些侧边区域沿该输送方向之长度,以使该薄膜之厚度均匀。 ;12.如申请专利范围第11项所述之溅镀方法,其中该步骤(a)更包括:装设复数个挡板于该靶材及该基材之间,该些挡板系沿着该输送方向排列。;第1图绘示传统之溅镀装置之示意图;第2图绘示本发明第一实施例之溅镀装置的示意图;第3图绘示本发明之溅镀方法的流程图;第4图绘示第2图之挡板的中间区域及侧边区域的示意图;第5图绘示传统之溅镀装置之实验侧视图;第6图绘示8个载玻片上之薄膜的反射率与波长之关系图;及第7图绘示本发明第二实施例之溅镀装置的示意图。 |
地址 |
INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |