发明名称 |
形成包含Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的层的方法 |
摘要 |
基材放置在沉积室内。于在基材上有效沉积含有Ta2O5的层的条件下,向沉积室中供应包括TaF5和选自H2O与O3中至少一种的气态前体。基材放置在沉积室内。第一化学种化学吸附到室内的基材上,以使包括TaF5的气态第一前体形成第一化学种单层。所述化学吸附第一化学种与包括H2O与O3中至少一种的气态第二前体接触,以使所述气态第二前体与第一化学种反应以形成含有Ta和O的单层。于在基材上有效形成大量含有Ta2O5的材料的条件下,依次重复进行所述化学吸附和接触。 |
申请公布号 |
CN1748043B |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200480003484.X |
申请日期 |
2004.02.03 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
B·A·瓦尔特斯卓;T·T·多恩 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
王允方;刘国伟 |
主权项 |
一种在基材上形成含有Ta2O5的层的方法,所述方法包括如下步骤:在沉积室内放置基材;和于在基材上有效沉积含有Ta2O5的层的条件下,向所述沉积室中供应气态前体,所述气态前体包括TaF5以及选自H2O和O3中的至少一种,所述条件为有效形成至少大部分要以001取向六方相被结晶的所述Ta2O5作为初始沉积。 |
地址 |
美国爱达荷州 |