| 发明名称 | 制造测辐射热探测器的方法 | ||
| 摘要 | 方法被设计用于制造配备有利用通过锚定点被固定于所述衬底绝热臂而悬浮于衬底上方的膜(1)的测辐射热探测器。所述膜(1)具有热敏薄层，该热敏薄层具备至少包括半导体铁氧化物(9)的基。所述方法至少包括所述半导体铁氧化物(9)的局部还原和/或氧化的步骤以便改变所述半导体铁氧化物(9)的薄层的一部分的铁原子的氧化程度。 | ||
| 申请公布号 | CN101782441A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN201010004588.X | 申请日期 | 2010.01.19 |
| 申请人 | 原子能委员会 | 发明人 | 让-路易斯·乌夫里尔-巴菲特;克里斯托夫·杜巴里;苏伦特·普克 |
| 分类号 | G01K7/22(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种测辐射热探测器的制造方法，该测辐射热探测器配备有利用经由锚定点(4)固定于所述衬底(2)的绝热臂(3)而悬浮于衬底(2)上方的膜(1)，所述膜(1)具有热敏半导体铁氧化物(9)的薄层，方法的特征在于，其至少包括所述半导体铁氧化物(9)的薄层的局部还原和/或氧化的步骤以便改变所述半导体铁氧化物(9)的薄层的一部分的铁原子的氧化的程度。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||