沉积炉管

摘要

本实用新型公开了一种沉积炉管，用于通过SiH2Cl2气体和NH3气体反应在多批次晶圆上沉积作为栅多晶硅的防反射层的SiN薄膜，通过将用于输送NH3气体的第二气体管道的输出管在沉积炉管的内管内延伸至晶舟的顶端，且在输出管的侧壁上形成多个出气孔，从而控制NH3气体以70％～80％的浓度较均匀地分布在晶舟的各个区域，进而使得晶舟装载的所有批次的晶圆上均能有效地沉积SiN薄膜，提高了产量。

主权项

一种沉积炉管，用于通过SiH2Cl2气体和NH3气体反应在多批次晶圆上沉积SiN薄膜，所述沉积炉管包括：外管；形成于所述外管内的内管；置入所述内管内的晶舟，用于承载所述多批次晶圆；位于所述晶舟底部，用于支撑所述晶舟的晶舟基座；位于所述外管之下，并与所述外管相连通的歧管；与所述歧管相配的第一气体管道，用于将所述SiH2Cl2气体输送至所述内管内；与所述歧管相配的第二气体管道，用于将所述NH3气体输送至所述内管内；所述第二气体管道包括输入管，所述输入管穿通所述歧管的侧壁，其特征在于，所述第二气体管道还包括与所述输入管连通的输出管，所述输出管在所述内管内延伸至所述晶舟的顶端，且在所述输出管的侧壁上形成有多个出气孔。