一种大功率绝缘栅双极性晶体管的两级有源门极控制电路

摘要

本实用新型涉及一种大功率绝缘栅双极性晶体管的两级有源门极控制电路，包括绝缘栅双极性晶体管，在绝缘栅双极性晶体管的集电极和门极之间连接一路瞬态抑制二极管电路组。本实用新型通过对IGBT关断过程分段处理，利用TVS的电压嵌位特性将关断电压上升率在关断过程的不同阶段以不同的反馈系数反馈回IGBT门极电压控制电路，通过动态的控制关断过程中IGBT门极电压，从而动态的控制IGBT的关断电流变化，高效的控制了IGBT的关断过电压，优化了由于延长关断时间所带来的关断损耗，同时可以达到关断电压上升率的分段控制。本实用新型并未大幅改变传统的IGBT驱动电路，易于叠加在已有驱动电路之上。

主权项

一种大功率绝缘栅双极性晶体管的两级有源门极控制电路，包括绝缘栅双极性晶体管(T1)，其特征在于：在绝缘栅双极性晶体管(T1)的集电极和门极之间连接一路瞬态抑制二极管电路组，所述瞬态抑制二极管电路组由第一TVS串联组(Z1)和第二TVS串联组(Z2)串联组成，瞬态抑制二极管电路组的阴极端与绝缘栅双极性晶体管的集电极连接，瞬态抑制二极管电路组的阳极端通过第一二极管(D1)与绝缘栅双极性晶体管的门极连接，所述第一TVS串联组(Z1)并联有第一电容(C1)，第一TVS串联组(Z1)的阳极端连接有第二电容(C2)和第二二极管(D2)的串联电路，所述第二二极管(D2)的正极连接有第二三极管(T2)和第三三极管(T3)，所述第二三极管(T2)和第三三极管(T3)的基极均与第二二极管(D2)的正极连接，第二三极管(T2)与第三三极管(T3)的发射极连接，第二三极管(T2)的发射极还连接有第一电阻(R1)，第一电阻(R1)连接到绝缘栅双极性晶体管的门极，第三三极管(T3)的集电极通过第三三极管(T3)与第二三极管(T2)的负极连接，第二三极管(T2)的正极还连接有第二电阻(R2)，第二电阻(R2)连接有脉冲宽度调制(PWM)。