| 发明名称 | 半导体组件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体组件。此半导体组件包括具有阵列区及去耦合区的基板，形成于该阵列区上的多个主动元件，设置于该基板与该主动元件上的第一介电层，第二介电层设置在该第一介电层上，第一电容器形成于阵列区之上的第二介电层，第二电容器形成于去耦合区之上的第二介电层，且第一插塞形成阵列区之上的第一介电层中，电性连接主动元件及第一电容器。此外，本发明另提供形成此半导体组件的形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101127355B | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200610172770.X | 申请日期 | 2006.12.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 涂国基;陈椿瑶 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郭晓东 |
| 主权项 | 一种半导体组件，包括基板，具有阵列区及去耦合区；多个主动元件，形成于该阵列区上；第一介电层，设置于该基板与该主动元件上；第二介电层，设置于该第一介电层上；第一电容器，形成于该阵列区之上的第二介电层中；第二电容器，形成于该去耦合区之上的第二介电层中，以及插塞，形成于该阵列区之上的第一介电层中，且电性连接该主动元件及该第一电容器。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||