在功率半导体晶片上形成带有图案的厚金属的方法

摘要

本发明提出了一种在一个半导体晶片上形成带图案的厚金属的方法。此方法包括制备一个近乎完整的半导体晶片，准备用于涂敷金属；用热金属工艺，沉积一层子厚度为TK1的底部金属层，连同其内置的校准标记；用冷金属工艺，沉积一层子厚度为TK2的顶部金属层，形成总厚度为TK＝TK1+TK2的堆积厚金属；然后使用内置的校准标记作参照，在复合厚金属上形成图案。形成的一种带图案的厚金属具有以下优点：更好的金属阶梯覆盖率，原因是热金属工艺比冷金属工艺具有更好的金属阶梯覆盖率；更低的校准误差率，原因是冷金属工艺的校准信号噪声比热金属工艺的更低。

主权项

一种用于在一个带有多个预设图案的接触区的功率半导体晶片的表面绝缘层上制备带图案的厚金属的方法，其特征在于，这种方法包括：a)制备一个带有内置校准标记、近乎完整的半导体晶片，准备用于涂敷金属；b)在晶片上方，用热金属工艺，沉积一层子厚度为TK1的底部金属层；c)在底部金属层上方，用冷金属工艺，沉积一层子厚度为TK2的顶部金属层，形成总厚度为TK＝TK1+TK2的复合厚金属；d)使用内置的校准标记作参照，在复合厚金属上形成图案；按照这种方法制备的带图案的厚金属具备以下优点：1)更好的金属阶梯覆盖率，原因是热金属工艺比冷金属工艺具有更好的金属阶梯覆盖率；2)更低的校准误差率，原因是冷金属工艺的校准信号噪声比热金属工艺的更低。