| 发明名称 | 分离两种材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种分离方法，包含：形成一高磁导金属阵列于一基板与一半导体层之间；以及以无线射频加热该高磁导金属阵列，使该高磁导金属阵列产生高温，以分离该基板与该半导体层。本发明在拆开两个原本结合一起的材料时，借助位于两个材料界面之间的高磁导物质阵列，用无线射频加热(Radio Frequency Heating)于该高磁导物质上并产生高热，使得该两个材料因此能相互解离。 | ||
| 申请公布号 | CN101783279A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200910000281.X | 申请日期 | 2009.01.15 |
| 申请人 | 先进开发光电股份有限公司 | 发明人 | 叶颖超;黄世晟;涂博闵;林文禹;吴芃逸;詹世雄 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种分离两种材料的方法，包含：形成一高磁导金属阵列于一基板与一半导体层之间；以及以无线射频加热该高磁导金属阵列，使该高磁导金属阵列产生高温，以分离该基板与该半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||