半导体装置

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其形成方法，其包含嵌入式的金属-绝缘体-金属电容器于逻辑电路中，此半导体装置包含：衬底，包含邻接半导体区的绝缘体区；下电极，其包含第一导体，位于绝缘体区上；绝缘层，位于绝缘体区、半导体区、及下电极上，其中绝缘层包括第一开口及第二开口，第一开口露出部分的下电极，第二开口露出半导体区；介电膜，沿着第一开口及第二开口延伸，位于下电极与半导体区上，分别作为电容器介电膜与栅极介电质，其中介电膜直接位于第一开口及第二开口的侧壁上；以及第二导体，位于第一开口及第二开口内的电容器介电膜与栅极介电质上，分别作为电容器结构的上电极、与晶体管结构的真实栅极。

主权项

一种半导体装置，包含：衬底，包含邻接半导体区的绝缘体区；下电极，其包含第一导体，位于该绝缘体区上；绝缘层，位于该绝缘体区、该半导体区、及该下电极上，其中该绝缘层包括第一开口及第二开口，该第一开口露出部分的该下电极，该第二开口露出该半导体区；介电膜，沿着该第一开口及第二开口延伸，位于该下电极与该半导体区上，分别作为电容器介电膜与栅极介电质，其中该介电膜直接位于该第一开口及第二开口的侧壁上；以及第二导体，位于该第一开口及第二开口内的该电容器介电膜与该栅极介电质上，分别作为电容器结构的上电极、与晶体管结构的真实栅极。