| 发明名称 | 纯化多晶硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及不使用盐酸和过氧化氢的清洁多晶硅的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101784477A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200880103893.5 | 申请日期 | 2008.08.08 |
| 申请人 | 瓦克化学股份公司 | 发明人 | H·沃赫纳;C·戈斯曼;H·林德纳 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 一种清洁多晶硅的方法，其包括以下步骤：a.)在至少一个阶段中采用包含氢氟酸、硝酸和六氟硅酸的氧化清洁溶液的预清洁，b.)在进一步的阶段中采用包含硝酸和氢氟酸的清洁溶液的主清洁，c.)在进一步的阶段中采用氧化清洁溶液的亲水化。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||