浮栅非挥发半导体存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种浮栅非挥发半导体存储器和制造方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极、漏极、第一绝缘层、第一多晶硅层、第二绝缘层、第二多晶硅层、保护层及侧墙。所述源极、漏极位于所述衬底上，所述第一绝缘层位于所述衬底上的源极、漏极区域对应的以外区域。所述第一多晶硅层位于所述第一绝缘层上，以形成浮栅，所述第二绝缘层位于所述第一多晶硅层上，所述第二多晶硅层位于所述第二绝缘层上，以形成控制栅及字线。所述侧墙位于所述字线两侧，所述保护层位于所述第二多晶硅上。所述漏极区域的半导体结为P-N结，所述源极区域的半导体结为金属半导体结。

主权项

一种浮栅非挥发半导体存储器，其包括半导体衬底、源极、漏极、第一绝缘层、第一多晶硅层、第二绝缘层、第二多晶硅层、保护层及侧墙，所述源极、漏极位于所述衬底上，所述第一绝缘层位于所述衬底上的源极、漏极区域对应的以外区域，所述第一多晶硅层位于所述第一绝缘层上，以形成浮栅，所述第二绝缘层位于所述第一多晶硅层上，所述第二多晶硅层位于所述第二绝缘层上，以形成控制栅及字线，所述侧墙位于所述字线两侧，所述保护层位于所述第二多晶硅上，其特征在于：所述漏极区域的半导体结为P-N结，所述源极区域的半导体结为金属半导体结。