半导体器件的应力消减

摘要

一种半导体器件(10)包括管芯(12)，管芯(12)包括有源区(16、32、42、50)、划片区(24)以及周界，其中与有源区相比，划片区更靠近周界。在一个实施例中，该管芯还包括形成在划片区中的断裂滞止结构(26)，以及其中该断裂滞止结构包括围绕位于管芯的至少一个拐角处或附近的公共中心同心地取向的曲线形和多边形中的一种。

主权项

一种半导体器件，包括：管芯，其包括有源区和管芯边缘；该管芯还包括在断裂停止体外的划片区，其中该断裂停止体至少部分地围绕该有源区；以及该管芯还包括断裂滞止结构，其中至少部分断裂滞止结构形成在该管芯的划片区中，其中该管芯还包括：衬底，覆盖在衬底上面的第一层，其中该第一层包括金属，覆盖在第一层上面的第二层，其中该第二层包括金属，覆盖在第二层上面的第三层，其中该第三层包括金属，以及其中断裂滞止结构包括：形成在第一层中的第一部分，其中该第一部分具有位于距所述管芯边缘第一距离处的第一外边缘；形成在第二层中的第二部分，其中该第二部分具有位于距所述管芯边缘第二距离处的第二外边缘，并且第二距离大于第一距离；以及形成在第三层中的第三部分，其中该第三部分具有位于距所述管芯边缘第三距离处的第三外边缘，并且其中第三距离大于第二距离。