CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

一种CMOS图像传感器及其制备方法能够防止馈通现象。CMOS图像传感器包括重置晶体管，该重置晶体管可包括在半导体衬底之上形成的外延层。该重置晶体管还包括在外延层之上形成的沟道层以形成沟道。陷阱区可在该重置晶体管的部分中形成。栅极可在外延层之上形成，且在它们之间插入栅绝缘膜。栅间隔垫可在栅极的两个侧壁之上形成。扩散区可在栅间隔垫两侧形成。

主权项

一种具有位于浮动扩散区和电源电压之间的重置晶体管的CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器包括：在半导体衬底之上形成的外延层；在所述外延层之上形成的沟道层；在所述外延层之上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜之上形成的所述重置晶体管的栅极；在所述栅极的侧壁之上形成的栅间隔垫；在所述栅间隔垫的两侧形成的用于所述浮动扩散区和所述电源电压的扩散区；以及在所述栅极的中央部分之下形成的、位于在所述沟道层中形成的沟道的中央部分的陷阱区。