一种制备石墨炔薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备石墨炔薄膜的方法。该方法，是以铜片或任意表面覆盖有铜薄膜层的基底为基底，六炔基苯在铜的催化作用下于溶剂中发生偶联反应，在所述基底的表面得到所述石墨炔薄膜。本发明提供的制备石墨炔薄膜的方法，工艺简便，能够在铜片或任意表面覆盖有金属铜的基底表面大规模制备石墨炔薄膜，其电导率为2.516×10-4S/m，该薄膜表面均匀，可在空气中稳定存在，是一种与硅性能相近的半导体，在催化、电子、半导体、能源和材料等领域的具有潜在的应用前景。

主权项

一种制备石墨炔薄膜的方法，包括如下步骤：以铜片或任意表面覆盖有铜薄膜层的基底为基底，六炔基苯在铜的催化作用下于溶剂中发生偶联反应，得到所述石墨炔薄膜。