提高有机半导体载子迁移率的方法

摘要

一种提高有机半导体载子迁移率的方法，主要包括有下列步骤：形成栅极(Gate)于一基板上；形成一绝缘层(Insulator layer)于该基板及该栅极上；涂布聚酰亚胺(Polyimide)以形成一中间层(interlayer)于该绝缘层上；形成一主动层于该中间层上；以及，形成源极和漏极，其中，涂布聚酰亚胺以形成一中间层于该绝缘层上的方法可用旋涂法(Spin Coating)、喷墨印刷法(Inject Printing)、接触印刷法(Contact Printing)或等离子体蚀刻等等的方法完成。

主权项

一种提高有机半导体载子迁移率的方法，其特征在于，其由下列步骤组成：(a)形成栅极于一基板上；(b)形成一绝缘层于该基板及该栅极上；(c)涂布聚酰亚胺以形成一中间层于该绝缘层上；(d)形成一主动层于该中间层上，其中，该主动层为有机半导体材料，该中间层是加大该主动层的晶粒从而减少主动层晶界数目；(e)形成源极和漏极。