基板之加工装置;ARRANGEMENT FOR PROCESSING A SUBSTRATE

摘要

本发明系有关一种基板(130)(尤其是半导体晶圆)之加工装置，尤其是一种具至少一加工站之真空处理装置，其包括一固持及/或输送基板(130)的框体(110)及夹在其中的承载体(120)，基板(130)大面积地固定在该承载体(120)上。加工站有利地包括一具一平坦表面(141)的紧固电极(140)，承载体(120)平行并邻接紧固电极(140)平坦表面(141)。承载体由一不导电介电材料制成，一侧设有一导电层(122)，故紧固电极(140)与承载体(120)一起构成一静电紧固机构(Chuck)。

主权项

1.一种基板(130；230；330；430；530)(尤其是半导体晶圆)之加工装置，尤其是一种真空处理装置，其包括至少一加工站(582-588)，而该加工站(582-588)包括一紧固电极(140；240；340；440)，其具一平坦表面(141；244；341；441)，其特征为：固持及/或输送基板(130；230；330；430；530)的机构至少包括一框体(110；210；310；410；510)及夹在其中的承载体(120；220；320；420；520)，基板(130；230；330；430；530)整面地固定在该承载体(120；220；320；420；520)上；承载体(120；220；320)由一不导电介电材料制成，且一侧设有一导电层(122；222；322)；承载体(120；220；320；420；520)平行并邻接紧固电极(140；240；340；440)之表面(141；244；341；441)，使得，承载体之导电层与介电材料及紧固电极构成一静电紧固装置。 ;2.如申请专利范围第1项之基板之加工装置，其中，框体(110；210；310)至少一部分导电，夹紧在框体(110；210；310)中的承载体(120；220；320)以其导电层(122；222；322)与框体(110；210；310)之导电部分接触。 ;3.如申请专利范围第2项之基板之加工装置，其中，承载体(120；220；320)由一适合真空且温度稳定的薄膜制成，尤其是聚醯亚胺，导电层(122；222；322)则由一蒸镀的金属层或一导电聚合物构成。 ;4.如申请专利范围第3项之基板之加工装置，其中，薄膜(120；220；320)厚度为50-200μm，较佳约为100μm，金属层(122；222；322)厚度为0.03-0.5μm，较佳约为0.1μm。 ;5.如申请专利范围第1项之基板之加工装置，其中，紧固电极(347)设在一本体上，该本体上有一高频电极(345)，紧固电极(347)与该高频电极(345)电性隔离，尤其设一穿过高频电极(345)的绝缘穿通管(348)以使紧固电极(340)被接触。 ;6.如申请专利范围第1项之基板之加工装置，其中，紧固电极(240)包括一介电层(243)，尤其是一氧化铝Al2O3板，承载体(220)平行并邻接紧固电极(240)之表面(244)时，该介电层位在紧固电极(240)与承载体(220)之间。 ;7.如申请专利范围第2项之基板之加工装置，其中，加工站(582-588)包括一电压供应源(150；250；350)，以在框体(110；210；310)与紧固电极(140；240；340)间提供一电压，尤其是一200-1500V，特别是500-1000V的直流电压。 ;8.如申请专利范围第1项之基板之加工装置，其中，紧固电极(440)具多个极性不同的区域。 ;9.如申请专利范围第1项之基板之加工装置，其中，加工站(582-588)包括一气体输入道(142；242；342；442)，以将一气体输送至紧固电极(140；240；340；440)与承载体(120；220；320；420)间的缝隙中，该气体压力较佳高于100Pa。 ;10.一种使用于申请专利范围第1项之装置的基板(130；230；330；430)固持及/或输送框体，其特征为：框体可夹紧一承载体(120；220；320；420)，尤其是一薄膜，而且，框体至少部分导电，该导电部分可与承载体(120；220；320)之导电层(122；222；322)接触。 ;11.一种在真空处理装置中加工基板(130；230；330；430)(尤其是半导体晶圆)之方法，其特征为：a)基板(130；230；330；430)被整面地固定在一夹紧在固持及/或输送框体(110；210；310；410)中的承载体(120；220；320；420)上，而承载体(120；220；320)系由一不导电介电材料制成，且一侧设有一导电层(122；222；322)，b)承载体(120；220；320；420；520)平行并邻接紧固电极(140；240；340；440)之表面(141；244；341；441)，使得，承载体导电层与介电材料及紧固电极构成一静电紧固装置。 ;12.如申请专利范围第11项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，基板(130；230；330；430)使用一适合真空且可移除的黏合剂黏在承载体(120；220；320；420)的第一平坦表面(121；221；321；421)上。 ;13.如申请专利范围第12项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，紧固电极(140；240；340；440)一平坦表面(141；244；341；441)平行并邻接承载体(120；220；320；420)一第二平坦表面(123；223；323；423)，该第二平坦表面(123；223；323；423)与第一平坦表面(121；221；321；421)相对。 ;14.如申请专利范围第13项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，承载体(120；320；420)第一表面(121；321；421)设有一导电层(122；322；422)。 ;15.如申请专利范围第14项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，紧固电极(347)设在一本体上，该本体上有一高频电极(345)，紧固电极(347)与该高频电极(345)电性隔离，紧固电极(347)与框体(310)间的电压供应尤其藉助一绝缘穿通管(348)。 ;16.如申请专利范围第13项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，承载体(220)第二表面(223)设一导电层(222)，紧固电极(240)与承载体(220)第二表面(223)间设一介电层(243)。 ;17.如申请专利范围第11项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，框体(110；210；310)与紧固电极(140；240；340)之间被供应一电压。 ;18.如申请专利范围第11项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，为进行基板(130；230；330；430)的温控，将一具一过压之气体输送至承载体(120；220；320；420)第二表面(123；223；323；423)与紧固电极(140；240；340；440)平坦表面(141；244；341；441)间的缝隙中。 ;19.如申请专利范围第11项之在真空处理装置中加工基板之方法，其中，欲取下基板(130；230；330)时，使承载体(120；220；320)导电层(122；222；322)与紧固电极(140；240；340)短路。;说明本发明实施例之图式为：;图1系本发明加工站第一实施例一单极电极及一固持与输送框体之示意图。;图2系本发明加工站第二实施例一单极电极及一固持与输送框体之示意图，其中电极与夹紧在框体中的承载体间设一介电层。;图3系本发明加工站第三实施例一单极电极及一固持与输送框体之示意图，其包括一高频供应源。;图4系本发明加工站第四实施例一双极电极及一固持与输送框体之示意图。;图5系一具复数个加工站的真空处理装置示意图。