半导体光电化学装置之制造方法及半导体光电化学装置

摘要

一种半导体光电化学装置之制造方法，系将由钛或钛合金所构成之基材，在700~1000℃之大气中、以5℃/秒以上的升温速度加以烧成而在表面形成氧化钛层，使金属钛混杂于氧化钛层中。

主权项

1.一种半导体光电化学装置之制造方法，包含下述步骤：将由钛或钛合金所构成之基材，在700~1000℃之大气中、以5℃/秒以上的升温速度加以烧成而在表面形成氧化钛层，之后以0℃~10℃的冷水来冷却基材，使金属钛混杂于该氧化钛层之表面。 ;2.如申请专利范围第1项之半导体光电化学装置之制造方法，为了将所生成之该氧化钛层的一部分剥离，进一步进行机械处理，使该氧化钛层中之金属钛的表面积为10~30%。 ;3.一种半导体光电化学装置之制造方法，包含下述步骤：将由钛或钛合金所构成之基材，在900~1000℃之大气中、以5℃/秒以上的升温速度进行烧成而在表面形成氧化钛层，之后于0℃~10℃的冷水中使基材冷却，使金属钛混杂于该氧化钛层之表面。 ;4.如申请专利范围第3项之半导体光电化学装置之制造方法，为了将所生成之该氧化钛层的一部分剥离，进一步进行机械处理，使该氧化钛层中之金属钛的表面积为10~30%。 ;5.一种半导体光电化学装置，包含：将由钛或钛合金所构成之基材，在700~1000℃之大气中、以5℃/秒以上的升温速度加以烧成，藉此在表面形成氧化钛层，且于该氧化钛层之表面混杂金属钛。 ;6.一种半导体光电化学装置，包含：将由钛或钛合金所构成之基材，在900~1000℃之大气中进行烧成而在表面形成氧化钛层，之后于冷水中急冷，使金属钛混杂于该氧化钛层之表面。;图1系说明本发明之半导体光电化学装置之光触媒反应。;图2系显示图1之半导体光电化学装置之简略制程之流程图。;图3系显示实施例、比较例之光生电流测定方法。;图4系显示着代表图1之半导体光电化学装置之乳酸分解的pH变化图。;图5系说明习知技术之半导体光电化学装置之光触媒反应。