固体电解电容器的制造方法、固体电解电容器及使用其之电子电路及电子机器

摘要

本发明系有关于以选自一氧化铌，铌及以铌为主要成分之合金的一种，或一氧化铌与铌或以铌为主要成分之合金的混合物为阳极，经上述阳极之电解氧化(化成)形成之铌氧化物固体电解电容器的制造方法，其中上述阴极之形成前使上述介电体层暴露于200至1000℃之温度的过程，以及介电体层之再化成过程依序重复二次以上。;以本发明之制造方法制得之铌固体电解电容器构装后之漏电流(LC)值良好，可靠性优。

主权项

1.一种固体电解电容器的制造方法，其系以选自一氧化铌、铌及以铌为主要成分之合金的一种，或一氧化铌与铌或以铌为主要成分之合金的混合物为阳极，以经上述阳极之电解氧化(化成)形成之铌氧化物为主要成分之层为介电体层，以形成于上述介电体层上之有机半导体为阴极的固体电解电容器的制造方法，其特征为：于上述阴极之形成前使上述介电体层暴露于200至1000℃之温度的步骤，及介电体层的再化成步骤依序重复二次以上。 ;2.如申请专利范围第1项之固体电解电容器的制造方法，其中上述暴露于200至1000℃之温度的步骤系于含水蒸气之环境中进行。 ;3.如申请专利范围第1或2项之固体电解电容器的制造方法，其中上述暴露于200至1000℃之温度的步骤系于含5体积%以上之氧气的环境中进行。 ;4.如申请专利范围第1至3项中任一项之固体电解电容器的制作方法，其中再化成后的介电体层之漏电流值在1nA/CV以下。 ;5.如申请专利范围第1项之固体电容器的制造方法，其中有机半导体系选自苯并吡咯啉四聚物及氯醌所成之有机半导体，以四硫基并四苯(tetrathiotetracene)为主要成分之有机半导体，以四氰基醌二甲烷(tetracyanoquinodimethane)为主要成分之有机半导体，以及主要成分系于含下述一般式(1)或(2)(式中，R 1 至R 4 表氢原子，碳原子数1至6之烷基或碳原子数1至6之烷氧基，这些可系相同或互异，X表氧、硫或氮原子，R 5 表仅于X系氮原子时存在之氢或碳原子数1至6之烷基，R 1 与R 2 及R 3 与R 4 亦可互相结合成环状)之重复单元的高分子以掺质掺杂的导电性高分子之有机半导体的至少一种。 ;6.如申请专利范围第5项之固体电解电容器的制造方法，其中含一般式(1)之重复单元的高分子系，含下述一般式(3)(式中，R 6 及R 7 各自独立，表氢原子、碳原子数1至6之直链或分枝饱和或不饱和烷基，或该烷基互相于任意位置结合，形成含二氧原子之至少一以上的5至7员环的饱和烃环状构造之取代基，上述环状构造亦可含可经取代之伸乙烯结合，或可经取代之伸苯基构造)之构造单元作为重复单元的高分子。 ;7.如申请专利范围第5项之固体电解电容器的制造方法，其中高分子系选自聚苯胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚噻吩、聚呋喃、聚吡咯、聚甲基吡咯，以及这些之取代衍生物及共聚物。 ;8.如申请专利范围第7项之固体电解电容器的制造方法，其中高分子系聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)。 ;9.如申请专利范围第1项之固体电解电容器的制造方法，其中有机半导体之导电率在10 -1 至10 3 S/cm之范围。 ;10.如申请专利范围第1项之固体电解电容器的制造方法，其中阳极系烧结体或箔。 ;11.如申请专利范围第1项之固体电解电容器的制造方法，其中以铌为主要成分之合金系选自铌钽合金、铌锆合金以铌矽合金。 ;12.如申请专利范围第10项之固体电解电容器的制造方法，其中烧结体之比表面积在0.2至7平方米/克。 ;13.如申请专利范围第1项之固体电解电容器的制造方法，其中于上述阳极有选自铌、部份氮化之铌、部份氧化之铌以及钽之材质的导线之电．机械连接。 ;14.如申请专利范围第1项之固体电解电容器的制造方法，其中暴露于200至1000℃之温度的时间系10秒至100小时。 ;15.如申请专利范围第1项之固体电解电容器的制造方法，其中于有机半导体层上设有导电体层。 ;16.一种固体电解电容器，其特征为：以如申请专利范围第1至15项中任一项之制造方法制作。 ;17.一种电子电路，其特征为：使用如申请专利范围第16项之固体电解电容器。 ;18.一种电子机器，其特征为：使用如申请专利范围第16项之固体电解电容器。