| 发明名称 | 使用直接铜镀制造电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的金属化的方法和结构。本发明的一个方面是形成具有铜金属化的半导体器件的方法。在一个实施方式中，该方法包括提供具有对于铜的扩散阻挡层的图案化的晶片；在该扩散阻挡层上沉积无铜种晶层，其对空隙填充铜的直接的电化学沉积有效。该种晶层是由保形沉积工艺和由非保形沉积工艺形成的。该方法进一步包括在该种晶层上电镀铜空隙填充。本发明的另一个方面包括使用根据本发明的各实施方式的方法和结构制造的电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101772830A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200880101397.6 | 申请日期 | 2008.06.02 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 衡石·亚历山大·尹;弗里茨·瑞德克 |
| 分类号 | H01L21/288(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/288(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人 | 樊英如 |
| 主权项 | 一种形成具有铜金属化的半导体器件的方法，该方法包含：提供具有对于铜的扩散阻挡层的图案化的晶片；在该扩散阻挡层上沉积无铜种晶层，其对空隙填充铜的直接的电化学沉积有效，该种晶层是由保形沉积工艺和由非保形沉积工艺形成的；以及在该种晶层上电镀铜空隙填充。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||