| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种发光器件。所述发光器件包括：第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层上的有源层、在所述有源层上的第一导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层的一部分中的稀土元素注入层。 | ||
| 申请公布号 | CN101771118A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910265544.X | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 文用泰 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：有源层；在所述有源层上的第一导电半导体层；在所述有源层上的第二导电半导体层，使得所述有源层设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；和在所述第一导电半导体层的一部分中的稀土元素注入层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||